靶材的主要性能要求:纯度纯度是靶材的主要性能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。

不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。

例如，随着微电子行业的迅速发展，硅片尺寸由6”, 8“发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求，而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。

杂质含量靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。

不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。

靶材的主要性能要求:纯度纯度是靶材的主要性能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。

不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。

例如，随着微电子行业的迅速发展，硅片尺寸由6”, 8“发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求，而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。

杂质含量靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。

不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。

例如，半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。