当力作用于硅晶体时，晶体的晶格产生变形,使载流子从一个能谷向另一个能谷散射,引起载流子的迁移率发生变化，扰动了载流子纵向和横向的平均量，从而使硅的电阻率发生变化。这种变化随晶体的取向不同而异，因此硅的压阻效应与晶体的取向有关。硅的压阻效应不同于金属应变计（见电阻应变计），前者电阻随压力的变化主要取决于电阻率的变化，后者电阻的变化则主要取决于几何尺寸的变化（应变），而且前者的灵敏度比后者大50～100倍。

由于固态压阻压力传感器的感受，敏感转换和检测三部分由同一个元件实现，没有中间转换环节，所以不重复性和迟滞误差极小。同时由于硅单晶本身刚度很大，形变很小，保证了良好的线性，因此综合静态精度很高。 体积小、重量轻、动态频响高：由于芯体采用集成工艺，又无传动部件，因此体积小，重量轻。小尺寸芯片加上硅的弹性模数，敏感元件的固有频率很高。在动态应用时，动态精度高，使用频带宽，合理选择设计传感器外型，使用带宽可以从零频至100千赫兹。

陶瓷压阻原理: 1）结构:将压敏电阻以惠司通电桥形式与陶瓷烧结在一起。 2）特点:过载能力较应变原理较低,抗冲击压力较差灵敏度较高,适合于测量50kpa以上的高量程范围,量程40mpa耐腐蚀,温度范围较宽。

扩散硅硅原理： 1）结构:在硅片上注入粒子形成惠司通电桥形式的压敏电阻。 2）特点:灵敏度很高,精度高,适合于测量1kpa～40mpa的范围,过压能力较强抗冲击压力较好温度漂移较大分为带隔离膜片和非隔离膜片2类,非隔离膜片只能测干净 的气体,隔离膜片为软性膜片,不适合测量粘稠的介质。