氧化铟是一种宽禁带半导体，具有良好的光学透明性，而氧化锡的引入则增强了材料的导电性。这种成分结构使得ITO材料在保证高透光率的同时也具有低电阻率，兼具光学和电学性能。ITO靶材的这一独特特性使其成为透明导电膜的主流材料，尤其适用于要求高透明度的光电设备和显示技术。

溶剂萃取法（化学法）

以湿法冶金为基础，通过P204萃取剂选择性富集铟：

含铟物料经硫酸浸出后，在pH=1.5-2.0条件下进行三级逆流萃取，铟萃取率可达98%。

该工艺对低品位原料（含铟0.02%）适用性强，但存在试剂消耗大（硫酸用量2-3吨/吨铟）、废水处理成本高的问题。

铟靶材主要由金属铟制成，具有质软、延展性好和导电性强的特点。作为稀有金属，铟在自然界的含量稀少，但其独特的物理和化学性质使其成为众多高科技产品的核心组件。铟靶材广泛应用于航空航天、电子工业等领域，是制造高性能电子元器件的关键材料。

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