纯化技术

区熔法：一种通过熔化和重新结晶来纯化材料的方法，可有效去除铟中的杂质，提高其纯度。

电解精炼：利用电化学反应将铟从杂质中分离出来。将铟材料作为阳极，置于电解液中，通过施加电流使铟离子在阴极上沉积，从而得到高纯度的铟。

化学纯化：利用化学反应去除铟中的杂质，例如通过溶剂萃取和化学沉淀等方法，可有效分离和去除杂质，提高铟的纯度。

半导体领域：纯铟在半导体中用作薄膜层，铟靶材可用于制造高速电动机的轴承涂层，使润滑油均匀分布，还可用于半导体器件的制造，如集成电路、芯片等。

铟靶是现代电子信息、新能源、高端制造等战略性新兴产业的底层关键材料，其应用深度和广度直接反映一个国家在半导体、显示、光伏等领域的技术水平。由于全球铟资源稀缺（主要伴生于锌矿），且提纯工艺复杂，铟靶的供应链已成为各国关注的重点。未来，随着 5G、AI、新能源汽车等产业的爆发，铟靶的需求将持续增长，同时推动高纯铟（99.999% 以上）制备技术的不断突破。

功率与温度管理

溅射功率：

铟的溅射阈值较低（约 10 eV），起始功率不宜过高（建议从 50 W 逐步递增），避免瞬间过热导致靶材熔融或飞溅（铟熔点仅 156.6℃，过热易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影响均匀性）。

直流溅射功率密度通常为 1~5 W/cm²，射频溅射可适当提高至 5~10 W/cm²。

靶材冷却：

采用水冷靶架（水温控制在 15~25℃），确保溅射过程中靶材温度低于 80℃（高温会导致铟原子扩散加剧，影响薄膜结晶质量）。

定期检查冷却水路是否通畅，避免因散热不良导致靶材变形或脱靶。